Желание расширить производство компания связывает с общим ростом на мировом рынке спроса микрочипы. Samsung заявила, что к 2021 году намерена потратить 14,4 трлн вон ($12,6 млрд) для увеличения пропускной способности своего завода по сбору флеш-памяти V-NAND четвертого поколения в Пхентаки, который начал работу сегодня.
В компании отметили, что это завод является крупнейшим в отрасли.Samsung также планирует напривить 6 трлн вон ($5,26 млрд) на свой кластер по разработке микросхем памяти в Хвасоне. Остальной один триллион вон ($0,88 млрд) будет потрачен на фабрику по сборке дисплеев в Асане.
Помимо этого, в компании рассматривают возможность добавление производственной линии для производства полупроводников на своем китайском заводе в Сиане. Первая линия была построена в 2014 года и сейчас работает на полную мощность, объяснили в компании.
Благодаря новым инвестициям Samsung рассчитывает усилить свою глобальную производственную сеть и ускорить общее развитие IT-отрасли. Samsung подчеркивает, что последние тренды в отрасли – развитие интернета вещей, искусственного интеллекта, big data, автомобильных технологий - резко увеличили спрос на новейшую высокотехнологичную продукцию